近年來(lái)高(gāo)帶寬内存（HBM）的(de)需求急劇上升，尤其是人(rén)工智能（AI）熱(rè)潮的(de)到來(lái)，讓這(zhè)一趨勢愈加明(míng)顯，HBM産品的(de)銷量節節攀升，價格也(yě)是水(shuǐ)漲船高(gāo)。即便各個(gè)各個(gè)存儲器供應商不斷提升HBM的(de)産能，仍然難以滿足市場(chǎng)的(de)需求，傳聞SK海力士和(hé)美(měi)光(guāng)至2025年底之前的(de)HBM産能已經售罄。

        市場(chǎng)研究分(fēn)析機構TrendForce發布了(le)新的(de)調查報告，稱得(de)益于比傳統DRAM高(gāo)出數倍的(de)價格（約爲DDR5的(de)五倍），加上人(rén)工智能芯片的(de)叠代需求，推動了(le)2023年至2025年HBM産能的(de)提升。2023年和(hé)2024年HBM分(fēn)别占DRAM産能的(de)2%和(hé)5%，到了(le)2025年将提高(gāo)至10%以上。産值方面，2024年占DRAM總産值超過20%，2025年可(kě)能提高(gāo)至30以上。

        各個(gè)存儲器供應商今年第二季度開始，已經針對(duì)2025年的(de)HBM産品進行議(yì)價，不過受制于DRAM産能，爲避免産能排擠效應，初步漲價5~10%，覆蓋了(le)HBM2E、HBM3和(hé)HBM3E。提前議(yì)價的(de)原因有三點分(fēn)，分(fēn)别爲：一、買方對(duì)人(rén)工智能需求充滿信心，願意接受漲價；二、HBM3E良品率僅爲40~60%，還(hái)有待提升，買方希望穩定貨源；三、不同供應商因供應能力問題，導緻平均銷售單價出現差異，從而影(yǐng)響獲利。

        現階段HBM産品大(dà)規模轉向HBM3E，且會有更多(duō)12層堆疊芯片出現，帶動了(le)HBM容量提升，預計2024年的(de)HBM需求位元年成長(cháng)率接近200%，到2025年有可(kě)能再翻倍。