目前全球每天産生的(de)數據量是非常龐大(dà)的(de)，通(tōng)過HDD和(hé)SSD存儲在大(dà)容量的(de)服務器和(hé)數據中心裏，不過SSD在讀/寫速度、能耗和(hé)設備尺寸上都優于HDD，使得(de)SSD正逐步取代HDD。SSD單位成本的(de)擴展，其中一個(gè)原因歸功于在存儲單元上堆疊更多(duō)的(de)層數。

        據Xtech Nikkei報道，铠俠首席技術官Hidefumi Miyajima在東京城(chéng)市大(dà)學舉行的(de)第71屆應用(yòng)物(wù)理(lǐ)學會春季會議(yì)上表示，計劃到2031年開始批量生産超過1000層的(de)3D NAND閃存芯片。

        增加3D NAND器件中有源層的(de)數量是目前提高(gāo)閃存記錄密度的(de)最佳方法，因此所有3D NAND閃存制造商每1.5至2年就通(tōng)過新的(de)制程工藝節點來(lái)實現這(zhè)一目标。不過每個(gè)新的(de)制程工藝節點都會有一些挑戰，由于3D NAND閃存需要在存儲單元上堆疊更多(duō)層數，那麽也(yě)要在橫向和(hé)縱向上縮小存儲單元，其中會采用(yòng)新的(de)材料，對(duì)于廠商研發上會有一定的(de)難度。

        目前铠俠最好的(de)是去年推出的(de)第8代BiCS 3D NAND閃存，爲218層。爲此铠俠和(hé)西部數據還(hái)開發了(le)CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，将每個(gè)CMOS晶圓和(hé)單元陣列晶圓都是在其最優狀态下(xià)單獨制造的(de)，然後粘合在一起，以提供增強的(de)位密度和(hé)快(kuài)速的(de)NAND I/O接口速度。通(tōng)過創新的(de)橫向收縮技術，将位密度提高(gāo)了(le)50%以上，NAND I/O接口速度超過了(le)3.2Gb/s，比上一代産品提高(gāo)了(le)60%。

        铠俠應該會沿用(yòng)目前的(de)工藝技術路線，開發1000層的(de)3D NAND閃存芯片。