SK海力士今天宣布，其最新的(de)超高(gāo)性能AI内存産品HBM3E 1已開始量産，并于3月(yuè)下(xià)旬開始向客戶供貨。七個(gè)月(yuè)前，SK海力士宣布了(le) HBM3E 開發的(de)成功。

        SK 海力士是 HBM3E 的(de)第一家供應商，HBM3E 是一款具有性能最佳的(de) DRAM 芯片的(de)産品，延續了(le) HBM3 的(de)早期成功。該公司預計 HBM3E 的(de)成功量産，以及其作爲業界首家 HBM3 供應商的(de)經驗，将有助于鞏固其在人(rén)工智能内存領域的(de)領導地位。

        爲了(le)構建一個(gè)能夠快(kuài)速處理(lǐ)大(dà)量數據的(de)成功的(de)人(rén)工智能系統，半導體封裝應該以大(dà)量人(rén)工智能處理(lǐ)器和(hé)存儲器多(duō)重連接的(de)方式組成。全球大(dà)型科技公司對(duì)人(rén)工智能半導體性能的(de)要求越來(lái)越高(gāo)，SK海力士預計HBM3E将成爲他(tā)們滿足這(zhè)種日益增長(cháng)的(de)期望的(de)最佳選擇。

        最新産品在人(rén)工智能存儲器所需的(de)所有方面（包括速度和(hé)熱(rè)量控制）都是業界最好的(de)。它每秒處理(lǐ)高(gāo)達 1.18TB 的(de)數據，相當于一秒鐘(zhōng)處理(lǐ) 230 多(duō)部全高(gāo)清電影(yǐng)（每部 5GB）。

        由于AI内存的(de)運行速度極高(gāo)，控制熱(rè)量是AI内存所需的(de)另一個(gè)關鍵條件。SK海力士的(de)HBM3E采用(yòng)先進的(de)MR-MUF 2工藝，散熱(rè)性能較上一代産品提高(gāo)了(le)10% 。

        SK海力士HBM業務負責人(rén)Sungsoo Ryu表示，HBM3E的(de)量産已經完善了(le)該公司業界領先的(de)AI内存産品陣容。“憑借 HBM 業務的(de)成功故事以及多(duō)年來(lái)與客戶建立的(de)牢固合作夥伴關系，SK 海力士将鞏固其作爲整體 AI 内存提供商的(de)地位。”